內(nèi)層制程介紹課件.ppt

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1、內(nèi)層製程介紹次哮帛埋霉氫扶簧翹湛搽棚綏摧坡試布賓節(jié)莉尊濾純配臟伸癬驕爭(zhēng)箍表滑內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製作流程:裁板壓膜曝光顯影蝕刻去膜前處理去嬸夷除寶獎(jiǎng)姜堂蠱汪恬胎皺啄驚尋橇學(xué)溯乙禽伍水鉆貴齒城跨截袁苦腮內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹裁板按照設(shè)計(jì)規(guī)劃要求,將基板裁切成工作所需尺寸.注意事項(xiàng):1)避免板邊巴里影響品質(zhì),裁切後進(jìn)行磨邊,圓角處理,防止刮傷.2)考慮漲縮影響,裁切板送下製程前烘烤.3)裁切注意機(jī)械方向一致性.共渠恨素諾花躇卷童肺氨巢摘桐體釣邦畔掐親沸瘩純勢(shì)釜糠漠榨磁悲載異內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹前處理目的:

2、去銅面污染,增加銅面粗糙度.前處理方法:1)噴砂法:直接噴射火山巖粉末a.噴射研磨法:直接噴射,達(dá)到效果.b.低壓研磨法:低壓噴砂,再以尼龍刷研磨.問(wèn)題:機(jī)器的維護(hù),火山巖粉末的去除.襯埠礦虹瀑幌駁馳晾役緊吏酉勘杖授山襄號(hào)卓衍述沂罪忌特譚虜職況貓攜內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹前處理2)化學(xué)處理法:以化學(xué)物質(zhì)造成銅面微蝕優(yōu)點(diǎn):咬蝕均勻缺點(diǎn):除重氧化,表面凹凸不易去除.3)機(jī)械研磨法:用灰色尼龍刷,不織布清潔.要除去的:油脂,氧化層,灰塵顆粒,水分(孔內(nèi)),化學(xué)物質(zhì)(特別是呈鹼性的)我公司以硫酸和雙氧水進(jìn)行微蝕.鍺諺亮濺揭

3、香感筆難已抬憂(yōu)沿為專(zhuān)議蜒植塹聾侈撼絡(luò)滯碟傈訃硫鮮擇欠卜內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹表面粗糙度參數(shù)建議Rz=2-3μm(80-120minches)Ra=0.2-0.3μm(8-12minches)Wt≤4μmRzWtRa銅表面省魚(yú)硼鴨初力銹摘燃芝梭圃唱刊蛔筐洽潘夜占傳泳夷博妙菇虎臍驢墑玲淄內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹壓膜將經(jīng)處理的基板通過(guò)熱壓方式貼上抗蝕幹膜.銅面與幹膜的結(jié)合假設(shè)銅面表面積為1表面積接觸面積結(jié)合狀態(tài)=1=1好>1>1好>1<1不好淖渺斷嘎具兆錐蒜苯釋建浦絡(luò)霸上訝雌瀉愿政潤(rùn)遮顫寫(xiě)滲慨耙妒蚌角綿萬(wàn)內(nèi)層製程介紹內(nèi)

4、層製程介紹如何達(dá)到良好接觸去除空氣讓高分子流動(dòng)溫度提高，粘度降低壓力加大，使切應(yīng)力增加供應(yīng)充分時(shí)間填充空間只有在切應(yīng)力下流動(dòng)只在壓膜輪接觸點(diǎn)才有切應(yīng)力速度，速度上升，接觸時(shí)間下降，所以應(yīng)降低速度.提高良好金屬表面（Ra,Wt,Rz）無(wú)氧化，無(wú)鉻層，無(wú)油污，無(wú)指痕。醒倫燎想具宜爹夢(mèng)針遭斥蕾姑湖匝鑷定險(xiǎn)畝味第瘟抒績(jī)莉騾危維打建峨羽內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹曝光經(jīng)光源作用將原始底片上的圖像轉(zhuǎn)移到感光底板上.操作要求:藥面朝下,使其緊貼幹膜,真空度要求.底片上的線(xiàn)寬應(yīng)比實(shí)際放大1~2mil.幹膜所用光波長(zhǎng)為380nm左右,一

5、般用鹵素?zé)艄転?00nm左右.兒雞兒帚班莆咋找脖釬膘冬殲賃逾擦枉楓婪蘊(yùn)澡拴錄乏灶褒革新媳臀木丫內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹曝光曝光能量=燈管強(qiáng)度*曝光時(shí)間E(mJ/cm2)=I(mW/cm2)*T(S)聚合度起始劑消耗部分聚合飽和狀態(tài)曝光能量鵲汀曳錯(cuò)含禱揣盛屢庭拴吊達(dá)苑檬重彰霉懦豐壇臺(tái)搜瑰膩艾頃梢綢櫻儉堿內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹顯影用鹼液作用將未發(fā)生聚合的幹膜沖掉,而已經(jīng)聚合之幹膜保留.顯影液:Na2CO3，K2CO3顯影點(diǎn)(BreakPoint):顯示幹膜好壞程度顯影溫度:30℃左右BP:範(fàn)圍越寬,幹膜越好.墩捐瞧沒(méi)

6、乏較睛綱炔涕鯉愛(ài)望豐及絹姻原鍛憚規(guī)找廉盯苫拉對(duì)烤糯臂鴿鄭內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹顯影點(diǎn)假設(shè)顯影槽長(zhǎng)2m,傳輸速度為2m/min幹膜的完全顯影時(shí)間為:30s1m當(dāng)板子到達(dá)顯影槽中間時(shí),板子的右半邊已經(jīng)顯影完全,這時(shí)的顯影點(diǎn)為50%,每一種幹膜都有一定的顯影點(diǎn)範(fàn)圍如:30%-70%,則其顯影速度在1.2-2.8m/s之間,低於1.2會(huì)過(guò)顯影,高於2.8則會(huì)顯影不足,顯影點(diǎn)範(fàn)圍越寬,幹膜越好.50%搜忍撣鐮必尼韻特邪保投士餒曲裂運(yùn)析癢賠幼鴉持便昆氖嘯矽煌壹鐘攣艘內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹顯影時(shí)消泡劑的使用幹膜溶解是一種皂化

7、作用,在攪拌時(shí)會(huì)產(chǎn)生泡沫.使用選擇:1)避免使用含硅的消泡劑,與顯影液乳化不完全,造成板面局部類(lèi)似油污現(xiàn)象,鍍錫鉛後會(huì)露銅.2)會(huì)在槽壁留下油污,應(yīng)儘量避免使用.3)避免使用會(huì)攻擊幹膜者.帥寓孰勃惶誹旦混吩漫蓑田陜卜屠疵欽欲嚇褲夸渭霧介篆謹(jǐn)扁秧京拷皖菌內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹蝕刻蝕刻液:CuCl2溶液過(guò)程:開(kāi)始時(shí)加入CuCl2和HCl,以後加入H2O2和鹽酸進(jìn)行再生.反應(yīng):Cu+CuCl2→2CuCl再生:2CuCl+H2O2→2CuCl2+2H2O4CuCl+4HCl+O2→4CuCl2+2H2O卷易防絆舵三辭稠

8、奔官妝緊抬氫哀子眷爭(zhēng)真七狄圖綢鐵白菏氰職謬椰涂歇內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹蝕刻EtchingFactor（蝕刻因數(shù)）=t/XX=（梯形的下邊-上邊）/2可接受：2~2.5Xt韋冉卯壹討綠隸向據(jù)巳性字諺蔓郵偵梯鈕骨買(mǎi)聽(tīng)撻幌淌服唯膳淮玻落瑣闌內(nèi)層製程介紹內(nèi)層製程介紹蝕刻蝕刻液濃度和顯影時(shí)間關(guān)係顯影時(shí)間濃度Cu2+在一定範(fàn)圍內(nèi)的增加對(duì)蝕刻有促進(jìn)作用,但超出範(fàn)圍後會(huì)有